HEM6000高速走査電子顕微鏡
高速スキャンドライバー
滞留時間: 10 ns/ピクセル; 最大取得速度: 2×100Mピクセル/秒
電子フィルタリングシステム
南東/BSE信号を自由に切り替えることができ、信号の混合比率も調整可能です。
全静電高速偏向システム
高解像度の広視野モードを実現できます。4nmのピクセルサイズで、最大視野は32μm×32μmに達します。
サンプルステージ減速技術
入射電子の着地電圧を低減し、同時にリサイクル電子の収集効率を向上させます。
液浸電磁複合対物レンズ
対物レンズの磁場がサンプルを浸漬し、低収差と高解像度を実現します。
製品説明

HEM6000高速走査電子顕微鏡(SEM)は、超高速画像取得速度とナノメートルレベルの分解能を融合させることで、産業および科学分野のイメージングに新たな定義をもたらします。半導体製造から材料科学まで、幅広いアプリケーションにおいて、スケールを越えた大面積サンプル分析を可能にします。効率性と精度を追求して設計されたHEM6000は、従来の電界放出型SEMの5倍の高速イメージング速度を凌駕し、ハイスループット研究と品質管理に最適なツールです。
コア技術の優位性
HEM6000 は、6 つの画期的なテクノロジーを統合し、比類のないパフォーマンスを実現します。
高速スキャンドライバー: 10 ns/ピクセルの滞留時間と 2×100M ピクセル/秒の取得速度を実現し、動的サンプルのミリ秒レベルの画像化を可能にします。
電子フィルタリングシステム: 二次電子 (南東) 信号と後方散乱電子 (BSE) 信号を自由に切り替え、調整可能な混合比により複雑な材料のコントラストを強化します。
全静電高速偏向システム: 歪みを最小限に抑えながら、高解像度の大視野イメージング(ピクセルサイズ 4 ナノメートル、最大視野 32 μm×32 μm)を実現します。
サンプルステージ減速技術: 入射電子の着地電圧を低減しながら、リサイクル電子収集効率を高めます。これは低電圧高解像度イメージングに重要です。
液浸電磁複合対物レンズ: 磁場浸漬法を使用して収差を最小限に抑え、3 kV (南東) で 1.3 ナノメートル、1 kV (南東) で 2.2 ナノメートル の解像度を実現します。
高輝度大電流電子銃: さまざまなサンプルタイプにわたって一貫したイメージングを実現するために、安定した電子放出を保証します。

主な性能仕様
撮像速度: 10 ns/ピクセルの滞留時間、最大取得速度 2×100M ピクセル/秒 (従来の SEM の 5 倍の高速)。
加速電圧: 低電圧高解像度の場合は100V~6kV(減速モード)、深浸透の場合は6kV~30kV(非減速モード)。
解決: 1.3 ナノメートル @ 3 kV (南東)、2.2 ナノメートル @ 1 kV (南東); 1.9 ナノメートル @ 3 kV (BSE)、3.3 ナノメートル @ 1 kV (BSE)。
視野: 最大 1×1 んん²、高解像度のマイクロディストーションフィールド 32×32 μm²。
サンプルステージ: モーター駆動3軸ステージ(X/Y: 移動量110mm、Z: 28mm); 再現精度±0.6μm(X)/±0.3μm(Y)。
真空システム: 汚染のない操作を実現する完全自動化オイルフリー真空。

インテリジェントオートメーションとアプリケーション
HEM6000の特徴は高速自動化ワークフローフルオートサンプルローディング/アンローディング(サイクルタイム15分未満)、オートフォーカス、自動明るさ/コントラスト、自動ステッチング機能を備えています。広視野低歪み設計は動的走査フィールド軸に沿ってエッジのぼやけを最小限に抑え、低電圧高解像度機能(サンプルステージの減速経由)により繊細なサンプルを保護します。
アプリケーションの範囲:
半導体産業: ウェーハ欠陥解析、パッケージ検査。
ライフサイエンス: 細胞/組織の形態学的研究。
材料科学: ナノ構造の特性評価、複合材料の分析。
地質科学: 鉱物組成と亀裂分析。

ソフトウェアと拡張性
このシステムはWindows OS上で動作し、中国語/英語に対応しています。光学/ジェスチャーナビゲーション、AIノイズ低減(オプション)、3D再構成、ビッグデータ分析機能を備えています。標準検出器にはレンズ内SE/BSE検出器が含まれ、オプションのアップグレードにはプラズマクリーニング、6インチサンプルホルダー、アクティブ振動減衰機能が含まれます。

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