HEM6000高速走査型電子顕微鏡

高速スキャンドライバー滞留時間：10 ns/ピクセル、最大取得速度：2×100Mピクセル/秒電子フィルタリングシステム SE/BSE信号を自由に切り替え可能、信号の混合比も調整可能。全静電高速

HEM6000高速走査型電子顕微鏡

HEM6000高速走査型電子顕微鏡の応用例および関連試験ソリューション

HEM6000高速走査型電子顕微鏡は、鮮明な画像、安定した試験条件、信頼性の高い実験室または生産現場における品質管理を必要とする、精密な検査および分析作業をサポートします。

製品説明

HEM6000 High-Speed Scanning Electron Microscope

HEM6000高速走査型電子顕微鏡（SEM）は、超高速の画像取得速度とナノメートルレベルの解像度を融合させることで、産業および科学分野におけるイメージングの概念を塗り替えます。半導体製造から材料科学まで、幅広い用途において、広範囲のサンプルを多スケールで分析することが可能です。効率性と精度を追求して設計された本装置は、従来の電界放出型SEMを凌駕する5倍高速な画像取得速度を実現し、ハイスループットな研究や品質管理に最適なツールとなっています。

中核となる技術的優位性

HEM6000は、比類のないパフォーマンスを実現するために、6つの画期的な技術を統合しています。

高速スキャンドライバー: 10 ns/ピクセルの滞留時間と2×100Mピクセル/秒の取得速度を実現し、動的なサンプルのミリ秒レベルのイメージングを可能にします。
電子フィルタリングシステム二次電子（SE）信号と後方散乱電子（BSE）信号を自由に切り替えることができ、混合比率を調整することで複雑な材料のコントラストを向上させることができます。
全静電式高速偏向システム: 歪みを最小限に抑えながら、高解像度の大視野イメージング（ピクセルサイズ4nm、最大視野32μm×32μm）を可能にします。
サンプルステージ減速技術入射電子の着地電圧を低減すると同時に、リサイクル電子の収集効率を高めます。これは、低電圧高解像度イメージングにとって非常に重要です。
浸漬型電磁複合対物レンズ磁場浸漬法を用いて収差を最小限に抑え、3 kV (SE) で 1.3 nm、1 kV (SE) で 2.2 nm の分解能を実現しています。
高輝度大電流電子銃: さまざまなサンプルタイプにおいて、安定した電子放出を確保し、一貫した画像を実現します。

主要性能仕様

画像撮影速度: 10 ns/ピクセルの滞留時間、最大取得速度は2×100Mピクセル/秒（従来のSEMより5倍高速）。
加速電圧低電圧高解像度向けには100V～6kV（減速モード）、深部浸透向けには6kV～30kV（非減速モード）に対応します。
解決: 1.3 nm @ 3 kV (SE)、2.2 nm @ 1 kV (SE); 1.9 nm @ 3 kV (BSE)、3.3 nm @ 1 kV (BSE)。
視野: 最大1×1 mm²、高解像度マイクロ歪み領域32×32 μm²。
サンプルステージモーター駆動式3軸ステージ（X/Y軸移動量：110mm、Z軸移動量：28mm）、繰り返し精度：±0.6μm（X軸）/±0.3μm（Y軸）。
真空システム汚染のない運転を実現する、完全自動化されたオイルフリー真空装置。

インテリジェントオートメーションとアプリケーション

HEM6000は高速自動化ワークフロー全自動サンプルロード/アンロード（サイクルタイム15分未満）、オートフォーカス、自動明るさ/コントラスト、自動スティッチング機能を搭載。大視野低歪みエッジのぼやけを最小限に抑えるため、設計は動的なスキャンフィールド軸に従います。低電圧高解像度（サンプルステージの減速による）機能により、繊細なサンプルを保護します。

適用範囲：

半導体産業ウェハー欠陥解析、パッケージ検査。
ライフサイエンス細胞・組織形態学研究。
材料科学ナノ構造の特性評価、複合材料の分析。
地質科学鉱物組成および破断面解析。

ソフトウェアと拡張性

本システムはWindows OS上で動作し、中国語/英語に対応しています。光学式/ジェスチャーナビゲーション、AIノイズリダクション（オプション）、3D再構成、ビッグデータ分析などの機能を提供します。標準検出器にはレンズ内蔵型SE/BSE検出器が含まれ、オプションのアップグレードとしてプラズマクリーニング、6インチサンプルホルダー、アクティブ振動減衰機能などが用意されています。

Industrial SEM for Semiconductor Inspection